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            場(chǎng)效應(yīng)管用途-場(chǎng)效應(yīng)管用途有哪些原理
            • 發(fā)布時(shí)間:2019-10-18 15:09:12
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            場(chǎng)效應(yīng)管有哪些特點(diǎn)與主要用途?
            場(chǎng)效應(yīng)管由于具有輸入阻抗非常高(可達(dá)l09~lO15Ω)、噪聲低、動(dòng)態(tài)變化范圍大和溫度系數(shù)小,且為電壓控制元件等優(yōu)點(diǎn),因
            此應(yīng)用也較為廣泛。
            場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型和絕緣柵(即MOS)型兩大類。
            (1)場(chǎng)效應(yīng)管的圖形和文字符號(hào)及外形(見圖3-8)
            其中,圖3-8(a)為N溝道絕緣柵增強(qiáng)型晶體管圖形和文字符號(hào);圖3-8 (b)為N溝道絕緣柵耗盡型晶體管圖形和文字符號(hào);圖3-8(c)為N溝道結(jié)型晶體管圖形和文字符號(hào);圖3-8 (d)為P溝道結(jié)型晶體管圖形和文字符號(hào);圖3-8(e)一(g)為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的外形;圖3-8(h)~(k)為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的管腳。
            (2)場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)及用途
            常用場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)及主要用途見表3-8。
            場(chǎng)效應(yīng)管用途
            場(chǎng)效應(yīng)管用途
            場(chǎng)效應(yīng)管有哪些基本參數(shù)?
            (1)場(chǎng)效應(yīng)管的基本參數(shù)
            ①夾斷電壓UP  也稱截止柵壓UGS(OFF),是在耗盡型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管或耗盡型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管源極接地的情況下,能使其漏源
            輸出電流減小到零時(shí)所需的柵源電壓UGS。
            ②開啟電壓UT  也稱閥電壓,是增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在漏源電壓UDS為一定值時(shí),能使其漏、源極開始導(dǎo)通的最小柵源電壓UGS。
            ③飽和漏電流IDSS  是耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管在零偏壓(即柵源電壓UGS為零)、漏源電壓UDS大于夾斷電壓Up時(shí)的漏極電流。
            ④擊穿電壓BUDS和BUGS
            a.漏源擊穿電壓BUDS。也稱漏源耐壓值,是當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏源電壓UDS增大到一定數(shù)值時(shí),使漏極電流ID突然增大且不受柵極電壓控制時(shí)的最大漏源電壓。
            b.柵源擊穿電壓BUGS。是場(chǎng)效應(yīng)管的柵、源極之間能承受的最大上作電壓。
            ⑤耗散功率PD  也稱漏極耗散功率,該值約等于漏源電壓UDS與漏極電流ID的乘積。
            ⑥漏泄電流IGSS  是場(chǎng)效應(yīng)管的柵—溝道結(jié)施加反向偏壓時(shí)產(chǎn)生的反向電流。
            ⑦直流輸入電阻RGS  也稱柵源絕緣電阻,是場(chǎng)效應(yīng)管柵—溝道在反偏電壓作用下的電阻值,約等于柵源電壓UGS與柵極電流的
            比值。
            ⑧漏源動(dòng)態(tài)電阻RDS  是漏源電壓UDS的變化量與漏極電流ID的變化量之比,一般為數(shù)千歐以上。
            ⑨低頻跨導(dǎo)gm  也稱放大特性,是柵極電壓UG對(duì)漏極電流ID的控制能力,類似于三極管的電流放大倍數(shù)β值。
            ⑩極間電容  是場(chǎng)效應(yīng)管各極之間分布電容形成的雜散電容。柵源極電容(輸入電容)CGS和柵漏極電容cGD的電容量為1~
            3pF,漏源極電容CDS的電容量為0.1~1pF。
            (2)常用場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)
            部分結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)見表3-9。部分N溝道耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)見表3-10。部分增強(qiáng)型MOS場(chǎng)
            效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)見表3-11。
            場(chǎng)效應(yīng)管用途
            場(chǎng)效應(yīng)管用途
            場(chǎng)效應(yīng)管用途
            使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)有哪些注意事項(xiàng)?
            場(chǎng)效應(yīng)管較三極管嬌弱,使用不當(dāng)很容易損壞,因此使用時(shí)應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)。
            ①應(yīng)根據(jù)不同的使用場(chǎng)合選用適當(dāng)型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)管。常用場(chǎng)效應(yīng)管的主要用途見表3-8。
            ②場(chǎng)效應(yīng)管,尤其是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,輸人阻抗非常高,不用時(shí)應(yīng)將各電極短接,以免柵極感應(yīng)電荷而損壞管子。
            ③結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反,但可在開路狀態(tài)下保存。
            ④為了保持場(chǎng)效應(yīng)管的高輸入阻抗,管子應(yīng)注意防潮,使用環(huán)境應(yīng)干燥。
            ⑤帶電物體(如電烙鐵、測(cè)試儀表)與場(chǎng)效應(yīng)管接觸時(shí),均需接地,以免損壞管子。特別是焊接絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),還要按源極—柵極的先后次序焊接,最好斷電后再焊接。電烙鐵功率以15~30W為宜,一次焊接時(shí)間不應(yīng)超過10s。
            ⑥絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管切不可用萬(wàn)用表測(cè)試,只能用測(cè)試儀測(cè)試,而且要在接入測(cè)試儀后,才能去掉各電極短路接線。取下時(shí),則應(yīng)先短路各電極后再取下,要避免柵極懸空。
            ⑦使用帶有襯底引線的場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),其襯底引線應(yīng)正確連接。
            場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)間繼電器是怎樣工作的?
            場(chǎng)效應(yīng)管具有極高的輸入阻抗,導(dǎo)通時(shí)從電源輸入的電流幾乎可以忽略。因此允許采用很大的充電電阻,有利于比延時(shí)的提高。
            (1)電路一
            JSB-1型時(shí)間繼電器電路如圖3-9所示。它采用3C01型場(chǎng)效應(yīng)管(P溝道增強(qiáng)型)作比較環(huán)節(jié)。該定時(shí)器最大延時(shí)可達(dá)5min,
            比延時(shí)可達(dá)5s/μF,延時(shí)誤差<±5%。
            工作原理:接通電源時(shí),由于電容C3兩端電壓為零,場(chǎng)效應(yīng)管VT處于截止?fàn)顟B(tài),繼電器KA釋放,延時(shí)開始。同時(shí)電源E通過電阻R2、繼電器KA線圈向電容C3充電,電容上的電壓逐漸升高,場(chǎng)效應(yīng)管VT的柵源電壓UGS越來(lái)越負(fù),柵—漏極電流IGD就越來(lái)越大。當(dāng)IGD大到晶閘管V所需的觸發(fā)電流時(shí),V觸發(fā)導(dǎo)通,繼電器KA得電吸合,輸出延時(shí)信號(hào)。
            場(chǎng)效應(yīng)管用途
            圖中,二極管VD的作用是提供電容C3一條快速放電回路(R3、R4、VD、C3); R1、C1及C2的作用是防止晶閘管V誤觸發(fā);并聯(lián)在電阻值較大的繼電器KA線圈上的低阻值電阻R5,用以提供延時(shí)電路足夠的電壓與電流。
            (2)電路二
            JS-20型時(shí)間繼電器電路如圖3-10所示。
            場(chǎng)效應(yīng)管用途
            工作原理:當(dāng)繼電器KA1吸合時(shí)(圖中,KA1控制部分未畫出),接通電源,由于電容Cl兩端電壓為零,場(chǎng)效應(yīng)管VT1的柵源電壓UGS=UC-US=-US大于其夾斷電壓UP,因此VT1截止,三極管VT2無(wú)基極電流而截止,晶閘管V關(guān)閉,繼電器KA2處于釋放狀態(tài),延時(shí)開始。同時(shí)電源電壓E通過電阻R8、R2向電容C1充電。Cl上電壓Uc逐漸升高,當(dāng)達(dá)到UGS
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