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            mos管開關(guān)電路-mos管電子開關(guān)實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)控制是怎么做到的
            • 發(fā)布時(shí)間:2020-08-28 18:44:26
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            mos管開關(guān)電路-mos管電子開關(guān)實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)控制是怎么做到的
            mos管開關(guān)電路
            MOS管開關(guān)電路是利用一種電路,是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道,所以開關(guān)電路也主要分為兩種。
            P溝道MOS管開關(guān)電路
            PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。需要注意的是,Vgs指的是柵極G與源極S的電壓,即柵極低于電源一定電壓就導(dǎo)通,而非相對(duì)于地的電壓。但是因?yàn)镻MOS導(dǎo)通內(nèi)阻比較大,所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。
            N溝道m(xù)os管開關(guān)電路
            NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只要柵極電壓大于參數(shù)手冊(cè)中給定的Vgs就可以了,漏極D接電源,源極S接地。需要注意的是Vgs指的是柵極G與源極S的壓差,所以當(dāng)NMOS作為高端驅(qū)動(dòng)時(shí)候,當(dāng)漏極D與源極S導(dǎo)通時(shí),漏極D與源極S電勢(shì)相等,那么柵極G必須高于源極S與漏極D電壓,漏極D與源極S才能繼續(xù)導(dǎo)通。
            mos管電子開關(guān)實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)控制詳解
            mos管電子開關(guān)實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)控制電路是由約翰·倫德格倫改編自“撥動(dòng)開關(guān)去抖的按鈕”。需要從一個(gè)位置接通和從另一個(gè)位置關(guān)掉負(fù)載,這個(gè)電路是有用的。任何數(shù)量的瞬間(N / O)開關(guān)或按鈕可并行連接。
            在原理圖上的左側(cè)的組合(10K,10uF和二極管)保證了電路接通電源時(shí)保持負(fù)載斷開狀態(tài)。如果初始上電狀態(tài)不是一個(gè)問題,這些組件可以被省略。
            MOS管,mos管電子開關(guān)實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)控制
            當(dāng)開關(guān)按下時(shí),1uF電容被連接到220歐姆和33K電阻連接點(diǎn),NPN晶體管截止,mos管導(dǎo)通開啟負(fù)載。釋放按鈕后,1uF電容通過1M電阻充電。第二次按下開關(guān),1uF電容充電后的電壓被加載到NPN晶體管基極,晶體管導(dǎo)通,mos管關(guān)閉,負(fù)載斷電。
            當(dāng)開關(guān)按下時(shí),1uF電容被連接到220歐姆和33K電阻連接點(diǎn),NPN晶體管截止,mos管導(dǎo)通開啟負(fù)載。釋放按鈕后,1uF電容通過1M電阻充電。第二次按下開關(guān),1uF電容充電后的電壓被加載到NPN晶體管基極,晶體管導(dǎo)通,mos管關(guān)閉,負(fù)載斷電。
            在晶體管的基極加入0.1uF電容,攔截噪聲可能造成的誤觸發(fā),如果開關(guān)位于遠(yuǎn)離電路。使用12伏,25瓦特汽車燈,和IRFZ44的電路進(jìn)行了測(cè)試。其他的MOSFET大概可以使用。
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