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          7. 場效應(yīng)管知識-場效應(yīng)管主要參數(shù)-作用與特點詳解
            • 發(fā)布時間:2020-09-07 17:10:10
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            場效應(yīng)管知識-場效應(yīng)管主要參數(shù)-作用與特點詳解
            場效應(yīng)管簡介
            場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
            場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
            場效應(yīng)管,場效應(yīng)管主要參數(shù)
            場效應(yīng)管主要參數(shù)
            (1)直流參數(shù)
            飽和漏極電流IDSS   它可定義為:當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零,而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時,對應(yīng)的漏極電流。
            夾斷電壓UP,它可定義為:當(dāng)UDS一定時,使ID減小到一個微小的電流時所需的UGS。
            開啟電壓UT,它可定義為:當(dāng)UDS一定時,使ID到達某一個數(shù)值時所需的UGS。
            (2)交流參數(shù)
            低頻跨導(dǎo)gm,它是描述柵、源電壓對漏極電流的控制作用。
            極間電容,場效應(yīng)管三個電極之間的電容,它的值越小表示管子的性能越好。
            (3)極限參數(shù)
            漏、源擊穿電壓,當(dāng)漏極電流急劇上升時,產(chǎn)生雪崩擊穿時的UDS。
            柵極擊穿電壓,結(jié)型場效應(yīng)管正常工作時,柵、源極之間的PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài),若電流過高,則產(chǎn)生擊穿現(xiàn)象。
            場效應(yīng)管的特點
            場效應(yīng)管具有放大作用,可以組成放大電路,它與雙極性三極管相比具有以下特點:
            (1)場效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過UGS來控制ID;
            (2)場效應(yīng)管的輸入端電流極小,因此它的輸入電阻很高;
            (3)它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;
            (4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);
            (5)場效應(yīng)管的抗輻射能力強。
            下面我們通過表格把各種場效應(yīng)管的符號和特性曲線表示出來:
            場效應(yīng)管,場效應(yīng)管主要參數(shù)
            場效應(yīng)管的作用
            1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
            2.場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
            3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻。
            4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。
            5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
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