場效應管
場效應管一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。
它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應管的結構原理解析
在兩個高摻雜的P區中間，夾著一層低摻雜的N區（N區一般做得很薄），形成了兩個PN結。在N區的兩端各做一個歐姆接觸電極，在兩個P區上也做上歐姆電極，并把這兩P區連起來，就構成了一個場效應管。如圖所示：
N型導電溝道結型場效應管的電路符號
將兩個P區的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極（g），在N型硅片兩端各引出一個電極，分別稱為源極（s）和漏極（d），很薄的N區稱為導電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器
共漏極放大電路也具有電壓放大倍數小于1，但接近1；輸出電壓與輸入電壓同相；輸入電阻高，輸出電阻低的特點。
什么是漏極
將兩個P區的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極，在N型硅片兩端各引出一個電極，分別稱為源極和漏極，很薄的N區稱為導電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器。柵極簡稱為G，源極簡稱為S，漏極簡稱為D。
開漏形式電路的特點
1.利用外部電路的驅動能力，減少IC內部的驅動，?或驅動比芯片電源電壓高的負載。
2.可以將多個開漏輸出的Pin，連接到一條線上。通過一只上拉電阻，在不增加任何器件的情況下，形成“與邏輯”關系。這也是I2C，SMBus等總線判斷總線占用狀態的原理。
3.由于漏級開路，所以后級電路必須接一上拉電阻，上拉電阻的電源電壓就可以決定輸出電平。這樣就可以進行任意電平的轉換了。
4.源極開路提供了靈活的輸出方式，但是也有其弱點，就是帶來上升沿的延時。因為上升沿是通過外接上拉無源電阻對負載充電，所以當電阻選擇小時延時就小，但功耗大；反之延時大功耗小。所以如果對延時有要求，則建議用下降沿輸出。
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