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          7. MOS管開關(guān)管損耗計算方法公式與解釋
            • 發(fā)布時間:2020-09-17 18:00:36
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            MOS管開關(guān)管損耗計算方法公式與解釋
            人們對MOS管開關(guān)電源的要求越來越高,要求開關(guān)電源的體積越來越小,這也意味著開關(guān)頻率越來越高。隨著開關(guān)頻率的提高,降低變換器的開關(guān)損耗也變得極其重要。
            一、 MOS管開關(guān)管損耗計算
            MOS管是開關(guān)電源中常見器件之一,在評估開關(guān)電源效率的時候,對于MOS管的選型十分重要,如果選擇的MOS不合適,電路該部分的發(fā)熱會非常嚴重,影響效率。因此,在考慮到設(shè)計開關(guān)電源的效率時,MOS管的損耗是不容忽視的一部分。下面將詳細計算MOS管的損耗。
            二、MOS管的損耗來源
            (1)MOS開關(guān)損耗
            MOS在開關(guān)電源中用作開關(guān)器件,顧名思義,MOS會經(jīng)常的開通和關(guān)斷。MOS管開關(guān)管損耗計算由于電壓和電流都是模擬量,這個世界也是模擬的世界,電壓和電流都不能突變,將MOS管比如成一個“水龍頭”就很好理解MOS管的第一部分損耗:開關(guān)損耗
            當(dāng)我們在打開水龍頭或者關(guān)閉水龍頭的時候,并不是等到我們完全打開龍頭的閥門,水才出來,也不是等到我們完全關(guān)斷水龍頭,才沒有水流出。在我們操作的過程中,其實都有水在流出或者是慢慢停止。對于MOS也是這樣,流過MOS管的電流就像是水流,加在MOS管VDS間的電壓就像是水龍頭的閥門。
            因此,MOS管開關(guān)損耗產(chǎn)生的本質(zhì)原因是由于MOS開通和關(guān)斷并不是瞬間完成,電壓和電流存在重疊區(qū)。開通過程如圖所示:
            MOS管開關(guān)管損耗計算
            開通過程如上圖所示,從電流Id從0開始上升到VDS減小為0為止,為MOS管的開通過程,如上圖的1點到2點所示。
            (2)MOS導(dǎo)通損耗
            理想的電壓源我們不計其內(nèi)阻,理想的運算放大器我們不計流入運放的電流,同樣,理想的開關(guān),我們將其等效為電阻為0的導(dǎo)線。但是在實際使用過程中,MOS開通后,是存在一定阻值的,這個阻值會隨著VGS電壓的變化而變化,當(dāng)MOS完全開通時,電阻才基本等效為一定固定的電阻。
            因此,MOS管損耗的第二部分就是導(dǎo)通損耗 ,產(chǎn)生導(dǎo)通損耗的本質(zhì)原因是實際使用的MOS管不能等效為電阻為0的器件,導(dǎo)通時的內(nèi)阻是會造成MOS管發(fā)熱的原因之一。
            導(dǎo)通損耗的計算主要是導(dǎo)通時的電流,內(nèi)阻。
            (3)MOS管驅(qū)動損耗
            從圖1可以看出,在1點之前,也就是電流從0上開始上升的前,這一部分MOS還沒開通,既不存在開關(guān)損耗,也不存在導(dǎo)通損耗,但是由于這部分時間,驅(qū)動芯片在對MOS的柵極充電,這也是損耗的一種形式,并歸為MOS的損耗,即驅(qū)動損耗。
            因此,MOS的驅(qū)動損耗,和驅(qū)動芯片的驅(qū)動功率有關(guān),和MOS管的選型有關(guān)(Qg)。
            三、MOS管開關(guān)管損耗計算實例
            (1)基于BUCK電源計算
            假設(shè)現(xiàn)在有一降壓電源,參數(shù)如下:
            輸入:Uin=12V
            輸出:Uout=1.8V
            開關(guān)頻率:f=500K
            負載電流:Io=20A
            紋波系數(shù):r=0.4
            選擇的MOS管為凌特的BSC050N03,參數(shù)如下
            MOS管開關(guān)管損耗計算
            MOS管開關(guān)管損耗計算MOS管開關(guān)管損耗計算
            下面計算該開關(guān)電源的MOS損耗。
            一、MOS管損耗
            (1)導(dǎo)通損耗
            MOS管導(dǎo)通損耗的計算公式為:P=I^2R= Rdson* Iqsw* IqswD= 20x20x61.8/12=0.36W
            (2)開關(guān)損耗
            開關(guān)損耗的計算公式:Psw=1/2* Vin*Iout *Fsx(Qgs2+Qgd)/Ig。
            如果只計算開通損耗有:Psw=0.512(20-4)500k * (6n/5)=0.576W
            如果只計算關(guān)斷損耗有:Psw=0.512*(20+4)*500k * (6n/1)=0.432W
            Ig由選擇的驅(qū)動芯片決定,LTC3883,驅(qū)動電壓Vgs=5V
            (3)驅(qū)動損耗
            Pgate=VgQgfs=513n500k=0.0325W
            開關(guān)管的總損耗:P=0.36+0.576+0.432+0.0325=1.4W
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