如果 5V 輸入的 VIH 比 3.3V CMOS 器件的 VOH 要高，則驅(qū)動(dòng)任何這樣的 5V 輸入就需要額外的電路。如下圖所示為低成本的雙元件解決方案。
在選擇 R1 的阻值時(shí)，需要考慮兩個(gè)參數(shù)，即：輸入的開(kāi)關(guān)速度和 R1 上的電流消耗。當(dāng)把輸入從 0切換到 1 時(shí)，需要計(jì)入因 R1 形成的 RC 時(shí)間常數(shù)而導(dǎo)致的輸入上升時(shí)間、 5V 輸入的輸入容抗以及電路板上任何的雜散電容。輸入開(kāi)關(guān)速度可通過(guò)下式計(jì)算：
由于輸入容抗和電路板上的雜散電容是固定的，提高輸入開(kāi)關(guān)速度的惟一途徑是降低 R1 的阻值。而降低 R1 阻值以獲取更短的開(kāi)關(guān)時(shí)間，卻是以增大5V 輸入為低電平時(shí)的電流消耗為代價(jià)的。通常，切換到 0 要比切換到 1 的速度快得多，因?yàn)?N 溝道 MOSFET 的導(dǎo)通電阻要遠(yuǎn)小于 R1。另外，在選擇 N 溝道 FET 時(shí)，所選 FET 的VGS 應(yīng)低于3.3V 輸出的 VOH。
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