MOS管數據手冊上的相關參數有很多，下面一起來看一看，MOS管的數據手冊一般會包含哪些參數吧。
極限參數也叫絕對最大額定參數，MOS管在使用過程當中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數，否則MOS管有可能損壞。
VDS表示漏極與源極之間所能施加的最大電壓值。VGS表示柵極與源極之間所能施加的最大電壓值。ID表示漏極可承受的持續電流值，如果流過的電流超過該值，會引起擊穿的風險。IDM表示的是漏源之間可承受的單次脈沖電流強度，如果超過該值，會引起擊穿的風險。
EAS表示單脈沖雪崩擊穿能量，如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會發生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。EAS標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。
PD表示最大耗散功率，是指MOS性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率，使用時要注意MOS的實際功耗應小于此參數并留有一定余量，此參數一般會隨結溫的上升而有所減額。(此參數靠不住)
TJ, Tstg，這兩個參數標定了器件工作和存儲環境所允許的結溫區間，應避免超過這個溫度，并留有一定余量，如果確保器件工作在這個溫度區間內，將極大地延長其工作壽命。
dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力，越大越好。對系統來說，過高的dv/dt必然會帶來高的電壓尖峰，較差的EMI特性，不過該變化速率通過系統電路可以進行修正。
熱阻表示熱傳導的難易程度，熱阻分為溝道-環境之間的熱阻、溝道-封裝之間的熱阻，熱阻越小，表示散熱性能越好。
△VDS/TJ表示的是漏源擊穿電壓的溫度系數，正溫度系數，其值越小，表明穩定性越好。
VGS(th)表示的是MOS的開啟電壓(閥值電壓)，對于NMOS，當外加柵極控制電壓 VGS超過 VGS(th) 時，NMOS就會導通。
IGSS表示柵極驅動漏電流，越小越好，對系統效率有較小程度的影響。
IDSS表示漏源漏電流，柵極電壓 VGS=0 、 VDS 為一定值時的漏源漏流，一般在微安級。
RDS(ON)表示MOS的導通電阻，一般來說導通電阻越小越好，其決定MOS的導通損耗，導通電阻越大損耗越大，MOS溫升也越高，在大功率電源中，導通損耗會占MOS整個損耗中較大的比例。
gfs表示正向跨導，反映的是柵極電壓對漏源電流控制的能力，gfs過小會導致MOSFET關斷速度降低，關斷能力減弱，過大會導致關斷過快，EMI特性差，同時伴隨關斷時漏源會產生更大的關斷電壓尖峰。
Ciss表示輸入電容，Ciss=Cgs+Cgd，該參數會影響MOS的開關時間，該值越大，同樣驅動能力下，開通及關斷時間就越慢，開關損耗也就越大。
Coss表示輸出電容，Coss=Cds+Cgd;Crss表示反向傳輸電容，Crss=Cgd(米勒電容)。這兩項參數對MOSFET關斷時間略有影響，其中Cgd會影響到漏極有異常高電壓時，傳輸到MOSFET柵極電壓能量的大小，會對雷擊測試項目有一定影響。
Qg、Qgs、Qgd、td(on)、tr、td(off)、tf這些參數都是與時間相互關聯的參數。開關速度越快對應的優點是開關損耗越小，效率高，溫升低，對應的缺點是EMI特性差，MOSFET關斷尖峰過高。
IS 、ISM這些參數如果過小，會有電流擊穿風險。
VSD、trr如果過大，在橋式或LCC系統中會導致系統損耗過大，溫升過高。
Qrr該參數與充電時間成正比，一般越小越好。
輸出特性曲線是用來描述MOS管電流和電壓之間關系的曲線，特性曲線會受結溫的影響，一般數據手冊上會列出兩種溫度下的特性曲線。
根據MOS管的輸出特性曲線，取Uds其中的一點，然后用作圖的方法，可取得到相應的轉移特性曲線。從轉移特性曲線上可以看出當Uds為某值時，Id與Ugs之間的關系。
MOS的導通電阻跟結溫是呈現正溫度系數變化的，也就是結溫越高，導通電阻越大。MOS數據手冊上一般會畫出當VGS=10V時的導通電阻隨溫度變化的曲線。
電容容量值越小，柵極總充電電量QG越小，開關速度越快，開關損耗就越小，開關電源DC/DC變換器等應用，要求較小的QG值。
MOS管一般會有一個寄生二極管，寄生二極管對MOS管有保護的作用，它的特性跟普通的二極管是一樣的，也具有正向導通的特性。
最大安全工作區是由一系列(電壓，電流)坐標點形成的一個二維區域，MOS管工作時的電壓和電流都不能超過該區域，如果超過這個區域就存在危險。
可以看到，MOS管的相關參數其實有很多，其實，在一般應用中，我們主要考慮漏源擊穿電壓VDS、持續漏極電流ID、導通電阻RDS(ON)、最大耗散功率PD、開啟電壓VGS(th)，開關時間，工作溫度范圍等參數就可以了。
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