相比于傳統(tǒng)的硅（Si）MOSFET，SiC具有優(yōu)異的電性能特性，包括高擊穿電壓、高電子遷移率和高熱穩(wěn)定性。因此具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗。
MOSFET的開(kāi)關(guān)狀態(tài)一般分為兩種：截止和導(dǎo)通。
當(dāng)柵極電壓高于一定閾值時(shí)，MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)；
當(dāng)柵極電壓低于一定閾值時(shí)，MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài)。
在實(shí)際應(yīng)用中，SIC MOSFET一般需要通過(guò)控制柵極電壓進(jìn)行開(kāi)關(guān)行為。通過(guò)控制柵極電壓的高低，可以實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)控制。
由于其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性，SiC MOSFET適用于高速開(kāi)關(guān)電路中。不過(guò)，器件的開(kāi)關(guān)行為中必然會(huì)帶一定的損耗。一般提到開(kāi)關(guān)損耗的情況，器件本身就是其中一個(gè)重要因素，但工作條件與外部電路情況也是影響高速SiC MOSFET開(kāi)關(guān)特性的關(guān)鍵因素。
一般來(lái)說(shuō)，工作條件會(huì)影響MOSFET的導(dǎo)通和截止特性。繼而影響開(kāi)關(guān)速度和損耗，而外部電路則會(huì)影響MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和損耗。
工作條件：電壓、電流、溫度等。
外部電路：包括驅(qū)動(dòng)電路、負(fù)載電路等，
開(kāi)關(guān)損耗由以下幾個(gè)方面影響：
1. 開(kāi)關(guān)頻率：開(kāi)關(guān)頻率越高，開(kāi)關(guān)損耗越大。
2. 開(kāi)關(guān)電壓：開(kāi)關(guān)電壓越高，開(kāi)關(guān)損耗越大。
3. 開(kāi)關(guān)電流：開(kāi)關(guān)電流越大，開(kāi)關(guān)損耗越大。
除了以上講的影響因素以外，影響器件行為和使用的重要因素還存在MOSFET的靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性以及溫度特性等其它因素。
?SiC MOSFET
碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）具有耐高壓、耐高頻、耐高溫等優(yōu)勢(shì)。首先，碳化硅（SiC）的擊穿電壓為硅（Si）的8-10倍，能夠承受更大的電流和電壓，帶來(lái)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更好效率。其次，碳化硅（SiC）不存在電流拖尾現(xiàn)象，能夠提高元件的開(kāi)關(guān)速度，是硅（Si）開(kāi)關(guān)速度的3-10倍，從而適用于更高頻率和更快的開(kāi)關(guān)速度。最后，碳化硅（SiC）擁有非常高的導(dǎo)熱率，相較硅（Si）來(lái)講，能在更高的溫度下工作。
特點(diǎn)
具有高溫工作、 高阻斷電壓、低損耗、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)勢(shì)
應(yīng)用領(lǐng)域
主要集中在電力電子領(lǐng)域，包括光伏、新能源汽車(chē)、充電樁、風(fēng)電、軌道交通等。
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