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動(dòng)態(tài)光電二極管穿戴應(yīng)用
2019-12-07
動(dòng)態(tài)光電二極管穿戴應(yīng)用想象一種不需要使用放大器的光電二極管。理論上，我們不必為了增強(qiáng)訊號(hào)而在光電二極管周?chē)由蠌?fù)雜的模擬電路，就能
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抑制功率二極管反向恢復(fù)的3種方法對(duì)比
2019-12-07
抑制功率二極管反向恢復(fù)的3種方法對(duì)比高頻功率二極管在電力電子裝置中的應(yīng)用極其廣泛。但PN結(jié)功率二極管在由導(dǎo)通變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)過(guò)程中，存在
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分析mos場(chǎng)效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)與工作原理-圖文解析
2019-12-02
mos場(chǎng)效應(yīng)管MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金屬
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碳化硅(sic)二極管有哪些優(yōu)勢(shì)-提供高能效高功率
2019-12-02
碳化硅(SiC)二極管有哪些優(yōu)勢(shì)（sic）碳化硅JFET有著高輸入阻抗、低噪聲和線性度好等特點(diǎn)，是目前發(fā)展較快的碳化硅器件之一，并且率先實(shí)現(xiàn)了
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碳化硅二極管參數(shù)-碳化硅二極管現(xiàn)貨供應(yīng)商與選型方案參考
2019-12-02
碳化硅二極管參數(shù)碳化硅二極管介紹及優(yōu)勢(shì)碳化硅JFET有著高輸入阻抗、低噪聲和線性度好等特點(diǎn)，是目前發(fā)展較快的碳化硅器件之一，并且率先實(shí)
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低開(kāi)啟電壓MOS管-低開(kāi)啟電壓MOS管怎么進(jìn)行低功耗設(shè)計(jì)
2019-12-02
低開(kāi)啟電壓MOS管低開(kāi)啟電壓(YGS（th））也稱(chēng)為柵極閾值電壓，這個(gè)數(shù)值的選擇在這里主要與用作比擬器的運(yùn)放有火。VMOS不像BJT，柵極相關(guān)于源
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低開(kāi)啟電壓MOS管型號(hào)-低壓內(nèi)阻MOS管供應(yīng)商與參數(shù)資料
2019-12-02
低開(kāi)啟電壓MOS管應(yīng)用對(duì)于一個(gè)電子產(chǎn)品，總功耗為該產(chǎn)品正常工作時(shí)的電壓與電流的乘積，這就是低功耗設(shè)計(jì)的需要注意事項(xiàng)之一。為了降低產(chǎn)品
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P溝道m(xù)osfet選型與參數(shù)資料和工作原理-工作特性詳解
2019-12-02
p溝道m(xù)osfetP溝道m(xù)osfet工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi)， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩
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mos管sop8貼片封裝與sop8選型參考圖表
2019-12-02
mos管sop8封裝SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是小外形封裝。SOP是表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀（L 字形
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電子鎮(zhèn)流器工作原理與與其他鎮(zhèn)流器的區(qū)別及選型
2019-11-30
電子鎮(zhèn)流器簡(jiǎn)介隨著電子技術(shù)的發(fā)展，在照明領(lǐng)域采用電子式鎮(zhèn)流器取代傳統(tǒng)的電感式鎮(zhèn)流器，我們認(rèn)為是今后道路照明發(fā)展的方向，節(jié)電效果非常
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場(chǎng)效應(yīng)管好壞怎么判定與擊穿燒壞詳解-場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用領(lǐng)域
2019-11-30
電魚(yú)機(jī)MOS管我們?cè)谝?guī)劃制作電子捕魚(yú)器時(shí)，有兩種器材是必不可少的，一種是高頻機(jī)的功率MOS管，首要用在高頻電子捕魚(yú)器中，另一種是低頻電魚(yú)
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n溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作原理-特性與結(jié)構(gòu)詳解-N溝道場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)
2019-11-30
n溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作原理詳解n溝道增強(qiáng)型MOS管（一）構(gòu)造絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的構(gòu)造表示圖如圖2-34所示。（2）n溝道增強(qiáng)型MOS管1)n溝道增強(qiáng)型MOS